高頻/音頻介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

試驗步驟

1 試樣的制備

 試樣應從固體材料上截取，為了滿足要求，應按相關的標準方法的要求來制備。

 應經(jīng)確地測量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以內(nèi)，測量點應均勻地分布在試樣表面。必要時，應測其有效面積。

2 條件處理

 條件處理應按相關規(guī)范規(guī)定進行。

3 測量

 電氣測量按本標準或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標準及相應的方法進行。

 在 1 MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結(jié)果的影響。此時，可采用同軸接線系統(tǒng)(見圖 1所示)，當用變電抗法測量時，應提供一個固定微調(diào)電容器。

高頻/音頻介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

電極系統(tǒng)

 1. 試樣上不加電極

 表面電導率很低的試樣可以不加電極而將試樣插人電極系統(tǒng)中測量，在這個電極系統(tǒng)中，試樣的一側(cè)或兩側(cè)有一個充滿空氣或液體的間隙。

 平板電極或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計算公式由表 3給出。

 下面兩種型式的電極裝置特別合適

1.1 空氣填充測微計電極

 當試樣插人和不插人時，電容都能調(diào)節(jié)到同一個值 ，不需進行測量系統(tǒng)的電氣校正就能測定電容率。電極系統(tǒng)中可包括保護電極.

1.2 流體排出法

 在電容率近似等于試樣的電容率，而介質(zhì)損耗因數(shù)可以忽略的一種液體內(nèi)進行測量，這種測量與試樣厚度測量的精度關系不大。當相繼采用兩種流體時，試樣厚度和電極系統(tǒng)的尺寸可以從計算公式中消去

 試樣為與試驗池電極直徑相同的圓片，或?qū)y微計電極來說，試樣可以比電極小到足以使邊緣效應忽略不計 在測微計電極中，為了忽略邊緣效應，試樣直徑約比測微計電極直徑小兩倍的試樣厚度。

加到試樣上的電極

2. 電極可選用 5.1.3中任意一種。如果不用保護環(huán)。而且試樣上下的兩個電極難以對齊時，其中一個電極應比另一個電大些。已經(jīng)加有電極的試樣應放置在兩個金屬電極之間，這兩個金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計算公式以及邊緣電容近似計算的經(jīng)驗公式由表1給出.

 對于介質(zhì)損耗因數(shù)的測量，這種類型的電極在高頻下不能滿足要求，除非試樣的表面和金屬板都非常平整。圖 1所示的電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻

技術參數(shù)：

1．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

2．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c．標稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%

3．Q合格指示預置功能:      預置范圍：5～1000。

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．電容測量：1~205

     主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

     準確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

     注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

6．B-測試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

試驗報告

• 試驗報告中應給出下列相關內(nèi)容:
• 絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進行處理的情況);
• 電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應注明其類型;
• 試樣條件處理的方法和處理時間;
• 施加的電壓;
• 介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);
• 測量儀器;
• 試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度;
• 施加的頻率;
• 相對電容率ε(平均值);
• 試驗 日期 ;

帶屏蔽的簡單西林電橋

 橋的B點(在測量臂邊的電源接線端子)與屏蔽相連并接地。

 屏蔽能很好地起到防護高壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端 M和 N的各根導線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓 這樣會引人一個通常使 tans的測量精度限于0.1%數(shù)量級的誤差，當電容C_X和C_N不平衡時尤為顯著。

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋，因此承受電壓U₁的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應指出，帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數(shù)的補償相符.

低頻電橋

 一般為高壓電橋，這不僅是由于靈敏度的緣故，也因為在低頻下正是高電壓技術特別對電介質(zhì)損耗關注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級上相差很多，結(jié)果，絕大部分電壓都施加在電容Cx和 C}上，使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當?shù)蛪涸Ω邏涸帘螘r才成立。同時，屏蔽必須接地，以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護的電容 C、和 C、是一致的，這個保護對于Ch來說是*的。

 由于選擇不同的接地方法，實際上形成了兩類電橋。

頻率范圍：